深圳市芯泰科光电有限公司
更多>>
更多>>
新闻中心
  • 研究所专用高感光度高热稳定性正胶AZ 6130

    系列光刻胶许总零高感光度高热稳定性线正型光刻胶广泛应用于大规模集成电路的高感光度高热稳定性线正型光刻胶特征通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口高感光度带来了高产出率很宽的膜厚范围许总零参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体

    发布日期:2026/5/14 16:43:59

  • 光电研究所专用高感光度高热稳定性正胶AZ 6112

    系列光刻胶许总零高感光度高热稳定性线正型光刻胶广泛应用于大规模集成电路的高感光度高热稳定性线正型光刻胶特征通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口高感光度带来了高产出率很宽的膜厚范围许总零参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体

    发布日期:2026/5/14 16:43:42

  • 研究所专用高感光度高热稳定性G线正型光刻胶AZ 6124

    系列光刻胶许总零高感光度高热稳定性线正型光刻胶广泛应用于大规模集成电路的高感光度高热稳定性线正型光刻胶特征通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口高感光度带来了高产出率很宽的膜厚范围许总零参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体

    发布日期:2026/5/14 16:43:24

  • 福建省漳州市龙海市微电子材料产品2026年特别推荐

    深圳市芯泰科光电有限公司产品热线许经理司是一家服务于半导体和光电子行业的产品技术服务提供商。公司创立于年已成为国内半导体光电子行业相关研究所和大学可以信赖的合作伙伴公司秉持以忠诚态度对待新旧客户以客户满意为导向提供优质率的专业服务导入以代理原厂产品为中心的共用通路平台提供产品行销及技术支援解决方案。

    发布日期:2026/5/14 16:42:23

  • 研究所耐高温蒸镀反转光刻胶负胶AZ 5200NJ

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/5/14 16:42:19

  • 研究所开发耐高温蒸镀底切形状负胶AZ 5218E

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/5/14 16:42:02

  • 大学耐高温蒸镀底切形状负胶AZ 5214E

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/5/14 16:41:45

  • 研究所耐高温蒸镀反转光刻胶负胶AZ 5206E

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/5/14 16:41:28

  • 光电所Lift-off工艺图形反转正/负可转换AZ5200E

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/5/14 16:41:09

  • 研究所专用高感光度高附着干法蚀刻G线I线通用正胶AZ3100

    系列光刻胶许总零高感光度高附着性线线通用正型光刻胶线线通用高感光度高附着性正型光刻胶,特别为线的关键层优化,特征线,线通用通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口通过提高光刻胶的附着性,从而改善了湿法刻蚀的工艺窗口参考工艺条件前烘秒曝光线线步进式曝光机许总零显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥

    发布日期:2026/5/14 16:38:41