- 研究所沟槽及通孔图形超高分辨率KrF正胶AZ DX5200P
系列光刻胶许总零应用于沟槽及通孔图形的超高分辨率正型光刻胶超高分辨率正型光刻胶，为沟槽及通孔图形优化,特征高分辨率，大焦深适用于光罩和普通光罩许总零适用于各种衬底参考工艺条件前烘秒曝光步进式曝光机曝光后烘烤秒显影秒清洗去离子水秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化产品型号深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电
发布日期：2026/5/14 16:50:09 - 光电研究所应用于通孔图形的KrF正胶AZ DX3200P
系列光刻胶许总零应用于通孔图形的正型光刻胶超高分辨率正型光刻胶，为通孔图形优化,特征工艺窗口大许总零适用于相移光罩适用于密集线图形参考工艺条件前烘秒曝光步进式曝光机曝光后烘烤秒显影秒清洗去离子水秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化产品型号深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电子材料电子元器件半导体产品主要客
发布日期：2026/5/14 16:47:48 - 研究所应用于通孔图形的KrF正型光刻胶AZ DX3200P
系列光刻胶许总零应用于通孔图形的正型光刻胶超高分辨率正型光刻胶，为通孔图形优化,特征工艺窗口大许总零适用于相移光罩适用于密集线图形参考工艺条件前烘秒曝光步进式曝光机曝光后烘烤秒显影秒清洗去离子水秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化产品型号深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电子材料电子元器件半导体产品主要客
发布日期：2026/5/14 16:47:34 - 光电研究所开发有机电致发光阴极隔离的负胶AZ CTP-100K
系列光刻胶许总零应于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶为阴极隔离而研发的负型光刻胶，它可以实现稳定的倒三角轮廓，并拥有很好的热稳定性和工艺窗口。使用安全溶剂,特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率工艺窗口很宽物理特性优异，可当作残留材料许总零参考工艺条件前烘秒膜厚微米曝光宽频，接近式曝光机曝光后
发布日期：2026/5/14 16:46:37 - 河南省驻马店市确山县微电子材料销售2026年特别推荐
深圳市芯泰科光电有限公司产品热线许经理司是一家服务于半导体和光电子行业的产品技术服务提供商。公司创立于年已成为国内半导体光电子行业相关研究所和大学可以信赖的合作伙伴公司秉持以忠诚态度对待新旧客户以客户满意为导向提供优质率的专业服务导入以代理原厂产品为中心的共用通路平台提供产品行销及技术支援解决方案。
发布日期：2026/5/14 16:46:22 - 研空所开发有机电致发光阴极隔离的负胶AZ CTP-100K
系列光刻胶许总零应于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶为阴极隔离而研发的负型光刻胶，它可以实现稳定的倒三角轮廓，并拥有很好的热稳定性和工艺窗口。使用安全溶剂,特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率工艺窗口很宽物理特性优异，可当作残留材料许总零参考工艺条件前烘秒膜厚微米曝光宽频，接近式曝光机曝光后
发布日期：2026/5/14 16:46:20 - 大学论文开发有机电致发光阴极隔离的负胶AZ CTP-100K
系列光刻胶许总零应于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶为阴极隔离而研发的负型光刻胶，它可以实现稳定的倒三角轮廓，并拥有很好的热稳定性和工艺窗口。使用安全溶剂,特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率工艺窗口很宽物理特性优异，可当作残留材料许总零参考工艺条件前烘秒膜厚微米曝光宽频，接近式曝光机曝光后
发布日期：2026/5/14 16:46:04 - 光电研究所用底部防反射涂层ArF-BARC
底部防反射涂层材料,,系列许总零应用于超高分辨率图形加工的底部防反射涂层在减小称底特别是高反射率称底的反射率，从而提高光刻胶线宽控制方面，的底部防反射涂层材料是一种必需的手段。该产品范围覆盖了线工艺，另外，它也适用于的工艺,,特征对线等高分辨率光刻胶具有很好的亲和性中性成分组成以及高温交联剂的使用使
发布日期：2026/5/14 16:45:20 - 大学专用底部防反射涂层KrF-BARC
底部防反射涂层材料,,系列许总零应用于超高分辨率图形加工的底部防反射涂层在减小称底特别是高反射率称底的反射率，从而提高光刻胶线宽控制方面，的底部防反射涂层材料是一种必需的手段。该产品范围覆盖了线工艺，另外，它也适用于的工艺,,特征对线等高分辨率光刻胶具有很好的亲和性中性成分组成以及高温交联剂的使用使
发布日期：2026/5/14 16:45:06 - 研究所专用底部防反射涂层AZ BARLi-II
底部防反射涂层材料,,系列许总零应用于超高分辨率图形加工的底部防反射涂层在减小称底特别是高反射率称底的反射率，从而提高光刻胶线宽控制方面，的底部防反射涂层材料是一种必需的手段。该产品范围覆盖了线工艺，另外，它也适用于的工艺,,特征对线等高分辨率光刻胶具有很好的亲和性中性成分组成以及高温交联剂的使用使
发布日期：2026/5/14 16:44:49