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发布日期：2026/6/1 21:10:32

NR71-6000P 耐蚀刻负胶
它是厚膜刻蚀掩模、厚金属电镀、高温高深宽比结构的专用光刻胶。
NR71-6000P 是适用于 365nm 紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现 5–12μm 厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率、耐 180℃高温、优异抗 RIE 干法刻蚀性、无需 HMDS 增粘剂等特点，室温下保质期长达 3 年。该光刻胶涂覆均匀、附着力强、显影快速，广泛应用于 厚膜干法刻蚀、厚金属电镀、SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、高温高深宽比结构 等领域，尤其适合厚膜、高精度、高温、强刻蚀环境下的光刻加工场景。

一、核心应用场景
1. 厚膜干法刻蚀掩模（匹配）
硅、氧化硅、氮化硅、金属等高深宽比 RIE 干法刻蚀            许总：15220133370
5–12μm 厚胶作为高耐久刻蚀掩模
耐高温、抗等离子体、图形垂直、边缘质量优异
2. 厚金属电镀工艺
5–12μm 厚铜、厚镍、厚金、厚银电镀掩模
功率器件、大电流电极、微线圈、厚布线、射频电感
垂直侧壁、高附着、不翘边、不底切、电镀边缘整齐
3. 高温兼容制程（耐 180℃）
需 150–180℃ 高温退火、沉积、合金化、键合 的工艺
高温下不流淌、不变形、不脱落、不脆裂
SiC/GaN/InP 等高温功率器件后端制程
4. 无需 HMDS 增粘剂的洁净厚膜工艺
对增粘剂敏感的异质结、敏感器件、外延表面
直接涂胶、高附着、无污染、简化流程
高可靠性、高一致性科研与小批量量产
5. 厚膜高精度半导体与功率器件图形
线宽＜0.5μm 级厚膜高精度结构
厚电极、厚场板、厚屏蔽层、大尺寸对准标记
图形垂直、均匀性好、无缺陷
6. MEMS、微机械、传感器厚结构
微悬臂梁、微桥、微通道、高深宽比微结构
厚保护层、绝缘层、结构层、屏蔽层
耐高温、抗刻蚀、机械强度高
7. 玻璃 / 陶瓷 / 蓝宝石厚膜光刻
玻璃、陶瓷、蓝宝石等低热导基板厚膜图形
需调整烘烤参数保证厚膜充分固化
大面积均匀、无条纹、边缘整齐
二、使用 NR71-6000P 的情况
需要 5–12μm 厚膜 光刻
要求垂直侧壁（刻蚀 / 电镀专用）
制程温度 180℃
必须耐受 RIE 干法刻蚀
不能使用 HMDS 增粘剂
希望室温保存 3 年、无需冷藏
用于厚膜、高深宽比、高温、强刻蚀制程

一、产品定位与核心优势
NR71-6000P 是适用于365nm波长曝光的厚膜负性光刻胶，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机，面向厚膜、高温、强干法刻蚀、厚金属电镀场景设计。
垂直侧壁：显影后轮廓笔直，适合刻蚀与电镀
耐高温：耐受 180℃ 工艺温度
抗 RIE 干法刻蚀：等离子环境下图形稳定
无需增粘剂：省去 HMDS 底涂，简化工艺
快感光快显影：提升制程效率
超长保质期：25℃室温可存放 3 年
二、关键理化参数
表格
参数项 数值 / 条件
固含量 40%–43%
外观 浅黄色液体
涂覆性 非常均匀、无条纹
感光度（365nm） 21mJ/cm2·μm
耐温上限 180℃
保存条件 25℃室温
保质期 3 年
主溶剂 γ- 丁内酯
显影液 RD6 碱性水溶液
三、膜厚与旋涂参数（150℃/60s 软烘后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
1000 40 11020–12180
1200 40 10136–11203
1500 40 8137–8993
2000 40 7011–7749
3000 40 5700–6300
4000 40 4978–5502
四、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
软烘：150℃/60s + 165℃/240s（两段式）
曝光：365nm波长紫外曝光
曝光后烘：100℃/60s + 110℃/240s（两段式）
显影：RD6 喷淋 / 浸置；6μm 膜显影 50s
去离子水冲洗至电阻率达标后干燥
去胶：使用RR41去胶剂去除
五、基板适配要求
良导热基板（Si、GaAs、InP）：标准工艺直接使用
1mm 厚玻璃基板：低热导特性，需调整烘烤温度 / 时间
六、安全注意事项
本品为可燃液体，远离热源、火花与明火
操作环境保持通风，佩戴护目镜、橡胶手套与防护服
禁止吞食，避免接触皮肤、黏膜与蒸气
4. 关键问题
NR71-6000P 的侧壁形貌是什么？适合哪些核心工艺？
答：显影后为垂直侧壁，主要用于厚膜 RIE 干法刻蚀掩模与厚金属电镀工艺，不用于金属剥离。
NR71-6000P 采用两段式烘烤的目的是什么？膜厚调节方式是什么？
答：两段式烘烤可使厚膜充分固化，提升耐高温性与抗刻蚀能力；膜厚通过旋涂转速调节，转速越低膜厚越高，范围4.9–12.2μm。
NR71-6000P 与同系列薄 / 中厚胶（如 NR71-3000P）的核心差异是什么？
答：核心差异为膜厚范围更高（NR71-6000P 约12μm），固含量更高（40%–43%），专为厚膜制程设计，其余耐高温、抗刻蚀、无需 HMDS 等特性保持一致。